IC วงจรบูรณาการ ATSAM4LS8BA-MU
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 64-VFQFN แผ่นสัมผัส |
| จำนวน I/O: | 48 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.68V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 64-VFQFN แผ่นสัมผัส |
| จำนวน I/O: | 48 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.68V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 64-TQFP |
| จำนวน I/O: | 52 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 20-VFQFN แพดที่เปิดเผย |
| จำนวน I/O: | 18 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 64-TQFP |
| จำนวน I/O: | 53 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 3V ~ 3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 28-DIP (0.300", 7.62 มม.) |
| จำนวน I/O: | 24 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 40-DIP (0.600", 15.24 มม.) |
| จำนวน I/O: | 32 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2.7V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 40-DIP (0.600", 15.24 มม.) |
| จำนวน I/O: | 36 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 4.2V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 28-SOIC (0.295", ความกว้าง 7.50 มม) |
| จำนวน I/O: | 21 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2V ~ 3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 32-VFQFN แพดที่เปิดเผย |
| จำนวน I/O: | 22 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2.7V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90 มม.) |
| จำนวน I/O: | 5 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 64-TQFP |
| จำนวน I/O: | 49 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2.3V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 80-TQFP |
| จำนวน I/O: | 69 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2V ~ 3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 18-DIP (0.300", 7.62 มม.) |
| จำนวน I/O: | 16 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 3V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 8-VDFN แผ่นสัมผัส |
| จำนวน I/O: | 6 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 32-VFQFN แพดที่เปิดเผย |
| จำนวน I/O: | 23 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~5.5V |
