| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 30MA |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 2 NPN (คู่) |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 600mA |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 2 NPN (คู่) |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 600mA |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 2 NPN (คู่) |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 800mA |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 4 NPN (ควอด) |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 600mA |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 4 PNP (ควอด) |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 30MA |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 2 NPN (คู่) |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 600mA |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 4 PNP (ควอด) |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 800mA |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 4 PNP (ควอด) |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 600mA |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 2 PNP (คู่) |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 50mA |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 2 PNP (คู่) |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 600mA |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 2 NPN (คู่) |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 600mA |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 2 NPN (คู่) |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 30MA |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 2 NPN (คู่) |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 30MA |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 2 NPN (คู่) |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 600mA |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 2 PNP (คู่) |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
