IC วงจรบูรณาการ APTGF180H60G
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 220 ก |
สถานะสินค้า: | ปราศการ |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 220 ก |
สถานะสินค้า: | ปราศการ |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 220 ก |
สถานะสินค้า: | ปราศการ |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 135 ก |
สถานะสินค้า: | ปราศการ |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 93 อ |
สถานะสินค้า: | ปราศการ |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 58 ก |
สถานะสินค้า: | ปราศการ |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 105 ก |
สถานะสินค้า: | ปราศการ |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ท่อ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 64 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ท่อ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 530 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 560 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 1200 อ |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 400 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 800 อ |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 840 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 900 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 910 อ |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |