IC วงจรบูรณาการ APTGT400TL65G
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ซีรี่ย์: | - |
Mfr: | เทคโนโลยีไมโครชิป |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ซีรี่ย์: | - |
Mfr: | เทคโนโลยีไมโครชิป |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 430 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 700 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 150 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 220 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 340 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 600 อ |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 250 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 700 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 80 อ |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 140 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 440 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 220 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 110 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 420 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |