เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 80ns |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR3L |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 80ns |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 80ns |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 80ns |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
