เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MTFC128GAPALNS-AAT
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 85ns |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 85ns |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | - |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 85ns |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR3 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - บล็อกการบูต |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 70ns |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
