เครื่องวงจรบูรณาการความจํา NP5Q128A13ESFC0E
| เทคโนโลยี :: | PCM (PRAM) |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 350µs |
| เทคโนโลยี :: | PCM (PRAM) |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 350µs |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | PCM (PRAM) |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 115ns |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 100ns |
| เทคโนโลยี :: | แรม |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 100ns |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 105ns |
