| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500 nA @ 400 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.3 โวลต์ @ 3 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10µA @ 500V |
| ประเภทการติดตั้ง: | สตั๊ดเมาท์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.3 V @ 30 A |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500 nA @ 400 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.3 โวลต์ @ 3 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: | -65°C ~ 175°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 875 มิลลิโวลต์ @ 4 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10 μA @ 200 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | สตั๊ดเมาท์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 V @ 30 A |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: | - |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10µA @ 400V |
| ประเภทการติดตั้ง: | สตั๊ดเมาท์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 V @ 30 A |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 50 μA @ 1000 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | แชสซี สตั๊ดเมาท์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.5 V @ 15 A |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: | - |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 925 mV @ 6 A |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: | - |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 925 mV @ 6 A |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: | - |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 925 mV @ 6 A |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: | - |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 925 mV @ 6 A |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 2 μA @ 440 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.35 V @ 2 A |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 µA @ 100 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 925 mV @ 6 A |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: | - |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 925 mV @ 6 A |
