| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 200 nA @ 50 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 650 มิลลิโวลต์ @ 15 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 200 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.3 โวลต์ @ 3 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 2 μA @ 400 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.5V@9A |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 2 µA @ 100 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.5V@9A |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 200 nA @ 50 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 650 มิลลิโวลต์ @ 15 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 2 µA @ 100 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.5V@9A |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 400 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 9 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 50 µA @ 45 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 490 มิลลิโวลต์ @ 1 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500 nA @ 400 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.6 โวลต์ @ 3 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 1 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.3 โวลต์ @ 3 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 25 nA @ 180 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1 โวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500 nA @ 400 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.3 โวลต์ @ 3 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: | -65°C ~ 175°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 875 มิลลิโวลต์ @ 4 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500 nA @ 600 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.3 โวลต์ @ 3 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 50 µA @ 45 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 490 มิลลิโวลต์ @ 1 ก |
