| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 μA @ 30 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 500 มิลลิโวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 100 nA @ 15 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1 โวลต์ @ 35 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10µA @ 30V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 650 mV @ 500 mA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 μA @ 30 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 500 มิลลิโวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500 nA @ 75 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 100 nA @ 50 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 100 nA @ 15 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1 โวลต์ @ 35 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 25 nA @ 20 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10 μA @ 200 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 950 มิลลิโวลต์ @ 3 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 300 μA @ 35 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 490 mV @ 8 A |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10µA @ 400V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.1 โวลต์ @ 3 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 นาโน @ 125 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10 μA @ 100 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 950 มิลลิโวลต์ @ 3 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 μA @ 20 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 500 มิลลิโวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1.4 mA @ 35 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 510 mV @ 8 A |
