| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500 nA @ 800 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.3 โวลต์ @ 3 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500 nA @ 400 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.3 โวลต์ @ 3 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 150 nA @ 16 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1 โวลต์ @ 35 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 150 nA @ 16 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 750 mV @ 35 mA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10 μA @ 200 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 950 mV @ 5 A |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500 nA @ 75 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 4Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 400 µA @ 40 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 450 mV @ 1 A |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10 μA @ 20 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 530 mV @ 1 A |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 mA @ 50 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 580 mV @ 1 A |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel® |
| ซีรี่ย์: | - |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ซีรี่ย์: | - |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ซีรี่ย์: | - |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ซีรี่ย์: | - |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ซีรี่ย์: | - |
