IC วงจรบูรณาการ 25C320T-E/SN
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 32Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 32Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 1Mbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10µA @ 5V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 7.5 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 51.2 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 68 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 64Mbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 64Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 32Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ซีรี่ย์: | - |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 51.2 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 68 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 47.1 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 62 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 32Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 38.8 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 51 ว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 16Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ซีรี่ย์: | - |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 35.8 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 47 ว |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
