IC วงจรบูรณาการ SST26VF016BEUI-104I/SN
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 16Mbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 16Mbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 16Mbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel® |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 100 µA @ 1 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 3.6 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 8 เมกะบิต |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel® |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10 µA @ 4 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 5.6 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 256Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel® |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 32Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel® |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ซีรี่ย์: | - |
| อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ: | ขนาน |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 16Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel® |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 8Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel® |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 2Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 4Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แพ็คเกจ: | ถุง |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 2Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel® |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 µA @ 2 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 5.1 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 4Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
