| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500 nA @ 32.7 โวลต์ |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 43 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.5 โวลต์ @ 1 ก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 500 nA @ 7.6 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 10 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 2 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 5.6 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 20-WFQFN แผ่นสัมผัส |
| จำนวน I/O: | 12 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2.7V~5.5V |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 µA @ 2 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 5.1 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.5 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 50 nA @ 8.12 โวลต์ |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 12 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 µA @ 1 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 3.3 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10 nA @ 12.6 โวลต์ |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 14 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.5 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 48-TQFP |
| จำนวน I/O: | 38 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.62V~3.6V |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 9 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 12 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 4 µA @ 2 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 4.3 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.5 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 28-UFQFN แผ่นสัมผัส |
| จำนวน I/O: | 25 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 1.8V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 48-UFQFN แผ่นสัมผัส |
| จำนวน I/O: | 35 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 3V ~ 3.6V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 14-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90 มม.) |
| จำนวน I/O: | 12 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 2V~5.5V |
| ประเภท: | วงจรรวม (ไอซี) ไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว |
|---|---|
| กล่อง / กระเป๋า: | 44-VQFN แผ่นสัมผัส |
| จำนวน I/O: | 35 |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd): | 3V ~ 3.6V |
