IC วงจรบูรณาการ 2N5116UA
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | พี-แชนแนล |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): | 30 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | พี-แชนแนล |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): | 30 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | N-ช่อง |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): | 40 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | N-ช่อง |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): | 40 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | N-ช่อง |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): | 40 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | N-ช่อง |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): | 30 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | N-ช่อง |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): | 40 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | N-ช่อง |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): | 40 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | N-ช่อง |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): | 40 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | พี-แชนแนล |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): | 30 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | N-ช่อง |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): | 30 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | N-ช่อง |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): | 40 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | พี-แชนแนล |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): | 30 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | พี-แชนแนล |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): | 30 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | พี-แชนแนล |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): | 30 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
|---|---|
| ประเภท FET: | N-ช่อง |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): | 40 โวลต์ |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
