IC วงจรบูรณาการ APTGT100H120G
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 140 ก |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 140 ก |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 200 ก |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 300 อ |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด): | 200 µA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 560 ก |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 110 ก |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 340 ก |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 120 ก |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 75 ก |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 430 ก |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 70 อ |
| สถานะสินค้า: | ปราศการ |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 220 ก |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 80 อ |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 80 อ |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 115 ก |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
|---|---|
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 420 ก |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
