IC วงจรบูรณาการ APTGT150DU120G
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 220 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 220 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 550 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 290 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 116 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ท่อ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 280 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 225 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 220 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 280 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 150 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 50 อ |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 230 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 75 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ท่อ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 140 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 130 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT |
---|---|
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 200 ก |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี |
แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |