IC วงจรบูรณาการ 1011GN-1600VG
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: | 150 โวลต์ |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: | 150 โวลต์ |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: | 65 โวลต์ |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: | 150 โวลต์ |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: | 150 โวลต์ |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ซีรี่ย์: | รองประธาน |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: | 150 โวลต์ |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: | 125 โวลต์ |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ซีรี่ย์: | - |
| Mfr: | เทคโนโลยีไมโครชิป |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| การกำหนดค่า: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: | 150 โวลต์ |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: | 150 โวลต์ |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: | 125 โวลต์ |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: | 150 โวลต์ |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | ปราศการ |
| การกำหนดค่า: | N-ช่อง |
| แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: | 170 โวลต์ |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: | 150 โวลต์ |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ซีรี่ย์: | - |
| Mfr: | เทคโนโลยีไมโครชิป |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: | 125 โวลต์ |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ |
| ซีรี่ย์: | อีพี |
