เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT45W4MW16BBB-706 WT TR
| เทคโนโลยี :: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 70ns |
| เทคโนโลยี :: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 70ns |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 12 น |
