เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT47H128M4CB-3:B
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
