logo
ส่งข้อความ
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M29W640GH70NA6F TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M29W640GH70NA6F TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 70ns
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT45W8MW16BGX-701 IT ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT45W8MW16BGX-701 IT

เทคโนโลยี :: PSRAM (Pseudo SRAM)
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 70ns
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี วงจรบูรณาการความจํา MT29F4G01ADAGDSF-IT:G TR ออนไลน์

วงจรบูรณาการความจํา MT29F4G01ADAGDSF-IT:G TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H128M32L2MC-5 IT:A ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H128M32L2MC-5 IT:A

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M45PE40-VMW6TG TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M45PE40-VMW6TG TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 มิลลิวินาที, 3 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H16M16LFBF-75:A ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H16M16LFBF-75:A

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M58BW16FB5T3T TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M58BW16FB5T3T TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 55ns
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H256M32L4JV-6 IT:A ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H256M32L4JV-6 IT:A

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F64G08ABEBBH6-12:B TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F64G08ABEBBH6-12:B TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา TE28F128P30B85A ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา TE28F128P30B85A

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 85ns
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H4M32LFB5-5:K ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H4M32LFB5-5:K

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา RC28F640P30T85A ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา RC28F640P30T85A

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 85ns
ติดต่อตอนนี้