logo
ส่งข้อความ
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา PC28F128P33T85B TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา PC28F128P33T85B TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 85ns
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT47H64M8CF-25E IT:G ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT47H64M8CF-25E IT:G

เทคโนโลยี :: SDRAM - DDR2
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B1DBNP-DC TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B1DBNP-DC TR

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT47R128M8CF-3:H ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT47R128M8CF-3:H

เทคโนโลยี :: SDRAM - DDR2
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา NAND01GW3B2BZA6E ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา NAND01GW3B2BZA6E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 30 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT48H16M16LFBF-6:H ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT48H16M16LFBF-6:H

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPSDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา NAND02GW3B2DZA6E ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา NAND02GW3B2DZA6E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 25 น
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B2DBDS-DC TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B2DBDS-DC TR

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา NAND512W3A2CZA6E ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา NAND512W3A2CZA6E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 50ns
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT48H4M16LFB4-75 IT:H ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT48H4M16LFB4-75 IT:H

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPSDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B384M32D2DS-062 ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B384M32D2DS-062

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT48H4M32LFB5-75 AT:K ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT48H4M32LFB5-75 AT:K

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPSDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT48H8M16LFB4-75:K ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT48H8M16LFB4-75:K

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPSDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้