เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT42L128M32D1GU-25 WT:A
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR2 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR2 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND, LPDRAM มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | - |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND, LPDRAM มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR2 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR3L |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR2 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | - |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND, LPDRAM มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR2 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND, LPDRAM มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | - |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | - |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND, LPDRAM มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR2 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |