เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F1G08ABBEAH4-IT:E TR
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
บรรจุุภัณฑ์ :: | บช.น |
---|---|
บรรจุภัณฑ์ :: | ตะกร้า |
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
เป็นไปตามมาตรฐาน :: | มีสีเขียว 100% |
ผู้ผลิต :: | เทคโนโลยีไมครอน |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 12 น |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 12 น |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 12 น |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |