เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F4G16ABCWC:C
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 90ns |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR3 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 70ns |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 70ns |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPDDR มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 70ns |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPDDR มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPDDR มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPDDR มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 70ns |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPDDR มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPDDR มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |