logo
ส่งข้อความ
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q128A11BSF40G ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q128A11BSF40G

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46V64M8TG-5B:J ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46V64M8TG-5B:J

เทคโนโลยี :: SDRAM - DDR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q256A81ESF40G ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q256A81ESF40G

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT49H32M9FM-25:B TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT49H32M9FM-25:B TR

เทคโนโลยี :: แรม
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDBA164B2PF-1D-F-D ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDBA164B2PF-1D-F-D

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR2
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46V32M16CV-5B IT:J TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46V32M16CV-5B IT:J TR

เทคโนโลยี :: SDRAM - DDR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDFA164A2PF-JD-F-D ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDFA164A2PF-JD-F-D

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR3
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46V64M8CV-5B:J TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46V64M8CV-5B:J TR

เทคโนโลยี :: SDRAM - DDR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDFP164A3PD-MD-F-D ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDFP164A3PD-MD-F-D

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR3
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDW4032BABG-70-F-D ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDW4032BABG-70-F-D

เทคโนโลยี :: SGRAM-GDDR5
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MTFC16GJGEF-AIT Z TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MTFC16GJGEF-AIT Z TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29C8G96MAZBBDJV-48 IT

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND, LPDRAM มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDF4432ACPE-GD-F-D ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDF4432ACPE-GD-F-D

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR3
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H256M32L4SA-48 WT:C ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H256M32L4SA-48 WT:C

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 14.4ns
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDFB164A1MA-GD-F-D ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDFB164A1MA-GD-F-D

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR3
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้