เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR3 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | - |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | - |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 55ns |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 8 มิลลิวินาที, 2.8 มิลลิวินาที |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที |