เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q128A13B1241F TR
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที |
เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที |
เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 12 น |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 100ns |
เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 100ns |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 100ns |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 100ns |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 95ns |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |