ส่งข้อความ
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT52L256M64D2LZ-107 WT:B ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT52L256M64D2LZ-107 WT:B

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR3
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
สต็อกโรงงาน:: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT25QU128ABB1EW7-CAUT TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT25QU128ABB1EW7-CAUT TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
สต็อกโรงงาน:: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 2.8 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT52L512M32D2PF-107 WT:B ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT52L512M32D2PF-107 WT:B

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR3
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
สต็อกโรงงาน:: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
สต็อกโรงงาน:: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
สต็อกโรงงาน:: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี วงจรบูรณาการความจํา MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E TR ออนไลน์

วงจรบูรณาการความจํา MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES:E TR

เทคโนโลยี :: -
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: -
สต็อกโรงงาน:: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B256M64D2NK-053 WT:C ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B256M64D2NK-053 WT:C

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
สต็อกโรงงาน:: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
สต็อกโรงงาน:: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B256M64D2PX-062 XT:C ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B256M64D2PX-062 XT:C

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
สต็อกโรงงาน:: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR

เทคโนโลยี :: -
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: -
สต็อกโรงงาน:: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B384M64D4NH-062 WT:B ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B384M64D4NH-062 WT:B

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
สต็อกโรงงาน:: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29TZZZAD8DKKBT-107 W ES.9F8 TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29TZZZAD8DKKBT-107 W ES.9F8 TR

เทคโนโลยี :: -
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: -
สต็อกโรงงาน:: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B4DBNQ-DC ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B4DBNQ-DC

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
สต็อกโรงงาน:: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29VZZZ7D7DQKWL-053 W.97Y TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29VZZZ7D7DQKWL-053 W.97Y TR

เทคโนโลยี :: -
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: -
สต็อกโรงงาน:: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B512M32D2NP-062 WT:C ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B512M32D2NP-062 WT:C

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
สต็อกโรงงาน:: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้