เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT48LC4M32LFB5-8 XT:G TR
เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPSDR มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที |
เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 14น |
เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 65 น |
เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NOR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที |
เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 12 น |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - LPDDR มือถือ |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
Factory Stock :: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |