منزل /المنتجات/الدوائر المتكاملة IC/الدوائر المتكاملة IC MSC040SMA120S/TR

الدوائر المتكاملة IC MSC040SMA120S/TR

Name: الدوائر المتكاملة IC MSC040SMA120S/TR
Brand: Microchip Technology
SKU: MSC040SMA120S/TR
Rating: 4.7 (102 reviews)

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ:	الولايات المتحدة الأمريكية
اسم العلامة التجارية:	Microchip Technology
رقم الموديل:	MSC040SMA120S/TR
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية:	50 جهاز كمبيوتر شخصى
الأسعار:	RFQ
تفاصيل التغليف:	ESD / فراغ / رغوة / كرتون
وقت التسليم:	في الحال
شروط الدفع:	T / T ، ويسترن يونيون ، إسكرو ، باي بال ، فيزا ، موني جرام
القدرة على العرض:	RFQ

ﺎﺘﺼﻟ ﺍﻶﻧ

مواصفات منتوج وصف طلب عرض أسعار

مواصفات

الفئة: منتجات أشباه الموصلات المنفصلة الترانزستورات FETs، MOSFETs، FETs المفردة، MOSFETs

بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs: 137 nC @ 20 فولت

حالة المنتج: نشط

نوع التثبيت: جبل السطح

الحزمة: الشريط والفكرة (TR) شريط قطع (CT) ديجي ريل®

سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds: 1990 pF @ 1000 فولت

السلسلة: -

Vgs (ماكس): + 23 فولت ، -10 فولت

Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6 فولت @ 2mA

حزمة أجهزة المورد: TO-268

Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50mOhm @ 40A ، 20V

مفر: تقنية الرقائق الدقيقة

درجة حرارة العمل: -55 درجة مئوية ~ 175 درجة مئوية (TJ)

نوع FET: قناة N

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 20 فولت

تبديد الطاقة (الحد الأقصى): 303W (Tc)

الحزمة / الحقيبة: TO-268-3 ، D³Pak (2 خيوط + علامة تبويب) ، TO-268AA

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200 فولت

التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 64 أمبير (ح)

التكنولوجيا: SiCFET (كربيد السيليكون)

ميزة FET: -

منتوج وصف

القناة الشمالية 1200 V 64A (Tc) 303W (Tc) سطح الصعود TO-268

بطاقة:

الدوائر المتكاملة SOIC-8 IC

المنتجات الموصى بها

ابق على تواصل معنا

اتصل شخص :	Mr. Jack

رسالة:

الأحرف المتبقية(20/3000)

من: