پیام فرستادن
نقل قول
persian
خانه /محصولات/مدارهای مجتمع آی سی/مدارهای یکپارچه IC MSC040SMA120S/TR
IC Integrated Circuits MSC040SMA120S/TR
IC Integrated Circuits MSC040SMA120S/TR

مدارهای یکپارچه IC MSC040SMA120S/TR

جزئیات محصول:
محل منبع: ایالات متحده
نام تجاری: Microchip Technology
شماره مدل: MSC040SMA120S/TR
پرداخت:
مقدار حداقل تعداد سفارش: 50 عدد
قیمت: RFQ
جزئیات بسته بندی: ESD / وکیوم / فوم / کارتن
زمان تحویل: بلافاصله. مستقیما
شرایط پرداخت: T/T، Western Union، escrow، Paypal، Visa، MoneyGram
قابلیت ارائه: RFQ
اکنون تماس بگیرید
مشخصات توضیحات محصول درخواست نقل قول
مشخصات
مشخصات
دسته بندی: محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FETs، MOSFETs Single FET، MOSFET
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
وضعیت محصول: فعال
نوع نصب: ارتفاع سطح
بسته بندی: نوار و رول (TR) نوار برش (CT) Digi-Reel®
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V
سری: -
Vgs (حداکثر): +23 ولت، -10 ولت
Vgs(th) (حداکثر) @ ID: 2.6V @ 2mA
بسته دستگاه تامین کننده: TO-268
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs: 50 میلی اهم @ 40 آمپر، 20 ولت
مفر: فناوری ریزتراشه
دمای کار: -55 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع FET: کانال N
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن): 20 ولت
اتلاف نیرو (حداکثر): 303W (Tc)
بسته بندی / کیس: TO-268-3، D³Pak (2 Lead + Tab)، TO-268AA
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss): 1200 V
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد: 64A (Tc)
تکنولوژی: SiCFET (سیلیکون کاربید)
ویژگی FET: -
توضیحات محصول
کانال N 1200 V 64A (Tc) 303W (Tc) سطح نصب TO-268
برچسب:

مدارهای مجتمع آی سی SOIC-8

مدارهای مجتمع آی سی VSON-10

مدارهای مجتمع آی سی PMIC

با ما در تماس باشید
تماس با شخص : Mr. Jack
حرف باقی مانده است(20/3000)
Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd.
sales@zkxwic.com
9:30-18:30
86--18813982051 9:30-18:30
اتاق 406-408، ساختمان Shenfang C، خیابان Huaqiangbei، منطقه Futian، شنژن، چین
درباره ما محصولات تور کارخانه کنترل کیفیت اخبار نقشه سایت سیاست حفظ حریم خصوصی
پیام بگذارید
چین کیفیت خوب مدارهای مجتمع آی سی تامین کننده. حق چاپ © 2023-2024 circuit-integrated.com . تمامی حقوق محفوظ است.