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Circuiti integrati IC MSC040SMA120S/TR

Dettagli:
Luogo di origine: Stati Uniti
Marca: Microchip Technology
Numero di modello: Il numero di unità di controllo è il numero di unità di controllo di cui all'allegato II.
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 50 PCS
Prezzo: RFQ
Imballaggi particolari: ESD/Vaccum/Fuma/Cartone
Tempi di consegna: Immediatamente.
Termini di pagamento: T/T, Western Union, escrow, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacità di alimentazione: RFQ
Specificazioni Descrizione di prodotto Richieda una citazione
Specificazioni
Specificazioni
Categoria: Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: 137 nC @ 20 V
Status del prodotto: Attivo
Tipo di montaggio: Montaggio superficiale
Pacco: Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: PF 1990 @ 1000 V
Serie: -
Vgs (Max): +23V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2mA
Confezione del dispositivo del fornitore: TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Mfr: Tecnologia dei microchip
Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di FET: Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On): 20V
Dissipazione di potere (massima): 303W (Tc)
Confezione / Cassa: TO-268-3, D3Pak (2 Lead + Tab), TO-268AA
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss): 1200 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C: 64A (TC)
Tecnologia: SiCFET (carburo di silicio)
Caratteristica del FET: -
Descrizione di prodotto
N-canale 1200 V 64A (Tc) 303W (Tc) Montatura di superficie TO-268
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Persona di contatto : Mr. Jack
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