| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 3.26V @ 500µA |
| Température de fonctionnement: | -55°C à 175°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-263-8, DPak (7 plombs + onglet) |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-263AB |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | Pour les appareils de traitement de l'air, le système d'échantillonnage est le suivant: |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | Pour les appareils de traitement de l'air, le système d'échantillonnage est le suivant: |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-263AB |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 3.5V @ 960μA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-247-3 |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-247-3 |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-247-3 |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: | 11 nC @ 20 V |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | Monture de surface |
| Le paquet: | Tuyaux |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-247-3 |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-247-3 |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 500μA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-247-3 |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | Monture de surface |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2V @ 2mA |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
