| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 3,26 V przy 500 µA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-263-8, DPak (7 sztuk + tab) |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5 V przy 1 mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-263-3, D²Pak (2 przewody + zakładka), TO-263AB |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5 V przy 1 mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-268-3, D³Pak (2 przewody + zakładka), TO-268AA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5 V przy 1 mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-268-3, D³Pak (2 przewody + zakładka), TO-268AA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5 V przy 1 mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-263-3, D²Pak (2 przewody + zakładka), TO-263AB |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 3.5V @ 960μA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-247-3 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5 V przy 1 mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-247-3 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5 V przy 1 mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-247-3 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs: | 11 nC @ 20 V |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Pakiet: | rurka |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5 V przy 1 mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-247-3 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5 V przy 1 mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-247-3 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5V @ 500μA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-247-3 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 2V @ 2mA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 2 V przy 1 mA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
