| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3.26V @ 500µA |
| Betriebstemperatur: | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab) |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | TO-263-3, d-² PAK (2 Führungen + Vorsprung), TO-263AB |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnun |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnun |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | TO-263-3, d-² PAK (2 Führungen + Vorsprung), TO-263AB |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 960μA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: | 11 nC @ 20 V |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Oberflächenbefestigung |
| Paket: | Schlauch |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 500μA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Oberflächenbefestigung |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2V @ 2mA |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
