Integrierte Schaltkreise für IC TN0620N3-G
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 1.6V @ 1mA |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 1.6V @ 1mA |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Oberflächenbefestigung |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | Auslaufmodus |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | - |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | Auslaufmodus |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Oberflächenbefestigung |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | - |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | Auslaufmodus |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Oberflächenbefestigung |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | - |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | Auslaufmodus |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Oberflächenbefestigung |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | - |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: | 178 nC @ 20 V |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Paket: | Schüttgut |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.7V @ 1mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3.25V @ 2,5mA (Typ) |
| Betriebstemperatur: | -60 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Chassishalterung |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | - |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.8V @ 3mA |
| Betriebstemperatur: | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | TO-247-4 |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 2,5mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | TO-247-3 Variante |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnun |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.7V @ 2mA (Typ) |
| Betriebstemperatur: | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | TO-247-4 |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3.25V @ 100μA (Typ) |
| Betriebstemperatur: | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | TO-247-3 |
