ИК интегральные схемы TN0620N3-G
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Через дыру |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 1.6В @ 1mA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Через дыру |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 1.6В @ 1mA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Поверхностный монтаж |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2.4В @ 1mA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | Режим исчерпания |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Через дыру |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | - |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | Режим исчерпания |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Поверхностный монтаж |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | - |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | Режим исчерпания |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Поверхностный монтаж |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | - |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | Режим исчерпания |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Поверхностный монтаж |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | - |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: | 178 nC @ 20 В |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Через дыру |
Пакет: | Насыщенные |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2.7V @ 1mA |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | SOT-227-4, miniBLOC |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 3.25В @ 2,5mA (тип) |
Операционная температура: | -60°C ~ 175°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | ТО-247-3 |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Держатель шасси |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | - |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2.8В @ 3mA |
Операционная температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | TO-247-4 |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5 В @ 2,5 мА |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | TO-247-3 вариант |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 4V @ 1mA |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | TO-268-3, D3Pak (2 лиды + Таб), TO-268AA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2.7V @ 2mA (тип) |
Операционная температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | TO-247-4 |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 3.25В @ 100μA (тип) |
Операционная температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | ТО-247-3 |