Να στείλετε μήνυμα

Συμπληρωματικά κυκλώματα IC LND150N3-G

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: ΗΠΑ
Μάρκα: Microchip Technology
Αριθμό μοντέλου: LND150N3-G
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: 50PCS
Τιμή: RFQ
Συσκευασία λεπτομέρειες: Δοκιμαστική συσκευή
Χρόνος παράδοσης: Αμέσως.
Όροι πληρωμής: T/T, Western Union, escrow, Paypal, Visa, MoneyGram
Δυνατότητα προσφοράς: Επικεφαλής
Προδιαγραφές Περιγραφή προϊόντων Ζητήστε ένα απόσπασμα
Προδιαγραφές
Προδιαγραφές
Κατηγορία: Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών Τρανζίστορες FETs, MOSFETs Μοναδικά FET, MOSFET
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET: Τρόπος εξάντλησης
Κατάσταση του προϊόντος: Ενεργός
Τύπος στερέωσης: Μέσα από την τρύπα
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @: -
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Σειρά: -
Vgs (Max): ±20V
Πακέτο: τσάντα
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή: ΤΟ-92-3
Επικεφαλής (μέγιστο) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500μA, 0V
Δρ.: Τεχνολογία μικροτσίπ
Θερμοκρασία λειτουργίας: -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος FET: N-Channel
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω): 0V
Διασκεδασμός δύναμης (Max): 740mW (Ta)
Πακέτο / Κουτί: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss): 500 Β
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C: 30mA (Tj)
Τεχνολογία: MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αριθμός βασικού προϊόντος: 150 LND
Περιγραφή προϊόντων
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Μέσα από τρύπα TO-92-3
Ελάτε σε επαφή μαζί μας
Υπεύθυνος Επικοινωνίας : Mr. Jack
Χαρακτήρες Λοιπά(20/3000)