Wyślij wiadomość
zacytować
polish
Dom /Produkty/Układy scalone IC/Układy zintegrowane IC LND150N3-G
IC Integrated Circuits LND150N3-G
IC Integrated Circuits LND150N3-G

Układy zintegrowane IC LND150N3-G

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: USA
Nazwa handlowa: Microchip Technology
Numer modelu: LND150N3-G
Zapłata:
Minimalne zamówienie: 50szt
Cena: RFQ
Szczegóły pakowania: ESD/próżnia/pianka/kartony
Czas dostawy: Natychmiast
Zasady płatności: T/T, Western Union, depozyt, Paypal, Visa, MoneyGram
Możliwość Supply: Zapytanie ofertowe
Skontaktuj się teraz
specyfikacje opis produktu Poprosić o wycenę
specyfikacje
specyfikacje
Kategoria: Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET
Funkcja FET: Tryb wyczerpania
Status produktu: Aktywny
Rodzaj montażu: Przez dziurę
Vgs(th) (Maks.) @ Id: -
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: 10 pF @ 25 V
Zestaw: -
Vgs (maks.): ±20 V
Pakiet: Torba
Zestaw urządzeń dostawcy: TO-92-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000 omów przy 500 µA, 0 V
Mfr: Technologia mikroczipów
Temperatura pracy: -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET: Kanał N
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.): 0V
Rozpraszanie mocy (maks.): 740 mW (Ta)
Opakowanie / Pudełko: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Napięcie od drenu do źródła (Vdss): 500 V
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C: 30mA (Tj)
Technologia: MOSFET (tlenek metalu)
Numer produktu podstawowego: 150 LND
opis produktu
N-kanał 500 V 30mA (Tj) 740 mW (Ta) przez otwór TO-92-3
Etykietka:

Układy scalone SOIC-8 IC

Układy scalone VSON-10 IC

Układy scalone PMIC IC

Skontaktuj się z nami
Osoba kontaktowa : Mr. Jack
Pozostało znaków(20/3000)
Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd.
sales@zkxwic.com
9:30-18:30
86--18813982051 9:30-18:30
Pokój 406-408, budynek Shenfang C, ulica Huaqiangbei, dzielnica Futian, Shenzhen, Chiny
O nas produkty Wycieczka po fabryce Kontrola jakości Aktualności Sitemap Polityka prywatności
ZOSTAW WIADOMOŚĆ
Chiny Dobra jakość Układy scalone IC Dostawca. Prawa autorskie © 2023-2024 circuit-integrated.com . Wszelkie prawa zastrzeżone.