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उत्पाद विवरण:
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| उत्पत्ति के प्लेस: | संयुक्त राज्य अमेरिका |
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| ब्रांड नाम: | onsemi |
| मॉडल संख्या: | FCH023N65S3-F155 |
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भुगतान & नौवहन नियमों:
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| न्यूनतम आदेश मात्रा: | 50 पीसी |
| मूल्य: | RFQ |
| पैकेजिंग विवरण: | ESD/वैक्यूम/फोम/डिब्बों |
| प्रसव के समय: | तुरंत |
| भुगतान शर्तें: | टी/टी, वेस्टर्न यूनियन, एस्क्रो, पेपैल, वीजा, मनीग्राम |
| आपूर्ति की क्षमता: | आरएफक्यू |
आईसी एकीकृत सर्किट FCH023N65S3-F155 TO-247-3 MOSFET
उत्पाद का वर्णन:
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performanceयह उन्नत प्रौद्योगिकी प्रवाह हानि को कम करने के लिए अनुकूलित है, बेहतर स्विचिंग प्रदर्शन प्रदान करता है, और चरम डीवीडी / डीटी दर का सामना करता है।SUPERFET III MOSFET आसान ड्राइव श्रृंखला ईएमआई मुद्दों को प्रबंधित करने में मदद करती है और डिजाइन कार्यान्वयन को आसान बनाने की अनुमति देती है.
आवेदनः
• दूरसंचार / सर्वर बिजली आपूर्ति
• औद्योगिक बिजली आपूर्ति
• यूपीएस / सोलर
पैरामीटर तालिकाः
| उत्पाद विशेषता | विशेषता मान |
| निर्माता: | अर्ध- |
| माउंटिंग शैलीः | छेद से |
| पैकेज / मामलाः | TO-247-3 |
| ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता: | एन-चैनल |
| चैनलों की संख्याः | 1 चैनल |
| वीडीएस - ड्रेन स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेजः | 650 वी |
| आईडी - निरंतर निकासी करंटः | 75 ए |
| आरडीएस ऑन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोधः | 23 एमओएमएस |
| वीजीएस - गेट-स्रोत वोल्टेजः | - 30 वी, + 30 वी |
| Vgs th - गेट-स्रोत सीमा वोल्टेज: | 2.5 वी |
| Qg - गेट चार्जः | 222 ई.पू. |
| न्यूनतम संचालन तापमानः | - 55 सी |
| अधिकतम संचालन तापमानः | + 150 C |
| पीडी - शक्ति विसर्जन: | 595 W |
| चैनल मोडः | सुधार |
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:
कोई MOQ की आवश्यकता नहीं है, और यदि आप अधिक खरीदते हैं, तो बेहतर कीमतों का आनंद लेंगे।
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गुणवत्ता वारंटी अवधि: 12 महीने।
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