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Detalhes do produto:
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| Lugar de origem: | Estados Unidos |
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| Marca: | onsemi |
| Número do modelo: | FCH023N65S3-F155 |
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Condições de Pagamento e Envio:
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| Quantidade de ordem mínima: | 50 PCS |
| Preço: | RFQ |
| Detalhes da embalagem: | ESD/Vacuum/Foam/Cartons |
| Tempo de entrega: | Imediatamente |
| Termos de pagamento: | T/T, Western Union, compromisso, Paypal, visto, MoneyGram |
| Habilidade da fonte: | RFQ |
Circuitos integrados IC FCH023N65S3-F155 TO-247-3 MOSFET
Descrição do produto:
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performanceEsta tecnologia avançada é adaptada para minimizar a perda de condução, fornece um desempenho de comutação superior e resiste a taxas extremas de dv/dt.SUPERFET III MOSFET A série de unidades fáceis ajuda a gerenciar problemas de EMI e permite uma implementação de projeto mais fácil.
Aplicação:
• Fornecimentos de energia de telecomunicações / servidores
• Fornecedores de energia industrial
• UPS / Solar
Tabela de parâmetros:
| Atributo do produto | Atributo Valor |
| Fabricante: | semi- |
| Estilo de montagem: | Através do Buraco |
| Embalagem / Caixa: | TO-247-3 |
| Polaridade do transistor: | N-canal |
| Número de canais: | 1 Canal |
| Vds - Tensão de ruptura da fonte de drenagem: | 650 V |
| Id - Corrente de escoamento contínua: | 75 A |
| Rds On - Resistência à fonte de drenagem: | 23 mOhms |
| Vgs - Voltagem da fonte da porta: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Tensão de limiar da porta-fonte: | 2.5 V |
| Qg - Carga da porta: | 222 dC |
| Temperatura de funcionamento mínima: | - 55 C. |
| Temperatura máxima de funcionamento: | + 150 C |
| Pd - Dissipação de energia: | 595 W |
| Modo de canal: | Reforço |
Perguntas frequentes:
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