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Dettagli:
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| Luogo di origine: | Stati Uniti |
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| Marca: | onsemi |
| Numero di modello: | FCH023N65S3-F155 |
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Termini di pagamento e spedizione:
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| Quantità di ordine minimo: | 50 PCS |
| Prezzo: | RFQ |
| Imballaggi particolari: | ESD/Vacuum/Foam/Cartons |
| Tempi di consegna: | Immediatamente |
| Termini di pagamento: | T/T, Western Union, impegno, Paypal, visto, MoneyGram |
| Capacità di alimentazione: | RFQ |
Circuiti integrati IC FCH023N65S3-F155 TO-247-3 MOSFET
Descrizione del prodotto:
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performanceQuesta tecnologia avanzata è progettata per ridurre al minimo le perdite di conduzione, fornire prestazioni di commutazione superiori e resistere a velocità dv/dt estreme.SUPERFET III MOSFET La serie Easy drive aiuta a gestire i problemi di EMI e consente un'implementazione più semplice del progetto.
Applicazione:
• Fornitori di energia per telecomunicazioni / server
• Fornitori energetici industriali
• UPS / solare
Tabella dei parametri:
| Attributo del prodotto | Valore attributivo |
| Produttore: | semi |
| Modello di montaggio: | Attraverso il buco |
| Imballaggio / Valigia: | TO-247-3 |
| Polarità del transistor: | Canale N |
| Numero di canali: | 1 canale |
| Vds - tensione di rottura della fonte di scarico: | 650 V |
| Id - Corrente di scarico continua: | 75 A |
| Rds On - Resistenza alla fonte di scarico: | 23 mOhms |
| Vgs - tensione della sorgente di porta: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - tensione di soglia della porta-sorgente: | 2.5 V |
| Qg - carica di porta: | 222 d.C. |
| Temperatura minima di funzionamento: | - 55 C |
| Temperatura massima di funzionamento: | + 150 C |
| Pd - Dissipazione di potenza: | 595 W |
| Modalità canale: | Miglioramento |
FAQ:
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