Dettagli:
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Luogo di origine: | Stati Uniti |
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Marca: | onsemi |
Numero di modello: | FCH023N65S3-F155 |
Termini di pagamento e spedizione:
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Quantità di ordine minimo: | 50 PCS |
Prezzo: | RFQ |
Imballaggi particolari: | ESD/Vacuum/Foam/Cartons |
Tempi di consegna: | Immediatamente |
Termini di pagamento: | T/T, Western Union, impegno, Paypal, visto, MoneyGram |
Capacità di alimentazione: | RFQ |
Circuiti integrati IC FCH023N65S3-F155 TO-247-3 MOSFET
Descrizione del prodotto:
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performanceQuesta tecnologia avanzata è progettata per ridurre al minimo le perdite di conduzione, fornire prestazioni di commutazione superiori e resistere a velocità dv/dt estreme.SUPERFET III MOSFET La serie Easy drive aiuta a gestire i problemi di EMI e consente un'implementazione più semplice del progetto.
Applicazione:
• Fornitori di energia per telecomunicazioni / server
• Fornitori energetici industriali
• UPS / solare
Tabella dei parametri:
Attributo del prodotto | Valore attributivo |
Produttore: | semi |
Modello di montaggio: | Attraverso il buco |
Imballaggio / Valigia: | TO-247-3 |
Polarità del transistor: | Canale N |
Numero di canali: | 1 canale |
Vds - tensione di rottura della fonte di scarico: | 650 V |
Id - Corrente di scarico continua: | 75 A |
Rds On - Resistenza alla fonte di scarico: | 23 mOhms |
Vgs - tensione della sorgente di porta: | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - tensione di soglia della porta-sorgente: | 2.5 V |
Qg - carica di porta: | 222 d.C. |
Temperatura minima di funzionamento: | - 55 C |
Temperatura massima di funzionamento: | + 150 C |
Pd - Dissipazione di potenza: | 595 W |
Modalità canale: | Miglioramento |
FAQ:
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