ICの集積回路AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8の記憶&データ記憶
| Mfr。#: | AT45DB641E-MHN2B-T |
|---|---|
| Mfr。: | Renesas/ダイアログ |
| 記述: | フラッシュ64 Mbit、広くVcc (1.7Vへの3.6V)、-40Cへの85Cの512バイトの二進ページ モード、DFN 5x6 (テープ&巻き枠)、単一SPI DataFlash |
| 工場リードタイム: | 25週 |
| Mfr。#: | AT45DB641E-MHN2B-T |
|---|---|
| Mfr。: | Renesas/ダイアログ |
| 記述: | フラッシュ64 Mbit、広くVcc (1.7Vへの3.6V)、-40Cへの85Cの512バイトの二進ページ モード、DFN 5x6 (テープ&巻き枠)、単一SPI DataFlash |
| 工場リードタイム: | 25週 |
| Mfr。#: | AT45DQ321-SHF2B-T |
|---|---|
| Mfr。: | Renesas/ダイアログ |
| 記述: | フラッシュ32 Mbit、3.0V (2.3Vへの3.6V)、-40Cへの85Cの512バイトの二進ページ モード、SOIC-W 208mil (テープ&巻き枠は)、クォード モード、単一の、 |
| 工場リードタイム: | 週 |
| Mfr。#: | AT45DB081E-SHN-T |
|---|---|
| Mfr。: | Renesas/ダイアログ |
| 記述: | フラッシュ8 Mbit、広くVcc (1.7Vへの3.6V)、-40Cへの85C、SOIC-W 208mil (テープ&巻き枠)、単一SPI DataFlash |
| 工場リードタイム: | 41週 |
| Mfr。#: | EFR32FG25A221F1920IM56-B |
|---|---|
| Mfr。: | ケイ素の実験室 |
| 記述: | RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、512kB RAM抜け目がない、1920kB FSK/O-QPSK/OFDM、+125C、QFN56 |
| 工場リードタイム: | 26週 |
| Mfr。#: | EFR32FG25B211F1920IM56-B |
|---|---|
| Mfr。: | ケイ素の実験室 |
| 記述: | RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、512kB RAM抜け目がない、1920kB FSK/O-QPSKの安全な地下の高さ、+125C、QFN56 |
| 工場リードタイム: | 26週 |
| Mfr。#: | EFR32FG25B212F1920IM56-B |
|---|---|
| Mfr。: | ケイ素の実験室 |
| 記述: | RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、512kB RAM抜け目がない、1920kB FSK/O-QPSK、HFCLKOUTの安全な地下の高さ、+125C、QFN56 |
| 工場リードタイム: | 26週 |
| ROHS: | 自由なPB |
|---|---|
| マウントスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ: | BGA-388 |
| 工場パックの量: | 200 |
| 製品タイプ: | マイクロプロセッサ |
| Mfr。#: | WBZ451UE-I |
|---|---|
| Mfr。: | マイクロチップ・テクノロジー |
| 記述: | RF システム オン チップ - SoC BLE マルチプロトコル モジュール、シールド付き、U.FL アンテナ、工業用温度 |
| 工場リードタイム: | 8週 |
| ROHS: | 自由なPB |
|---|---|
| マウントスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ: | BGA-516 |
| 工場パックの量: | 3000 |
| 製品タイプ: | 32ビット マイクロ制御回路 |
| ROHS: | 自由なPB |
|---|---|
| マウントスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ: | TQFP-144 |
| 工場パックの量: | 1000 |
| 製品タイプ: | 32ビット マイクロ制御回路 |