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商品の詳細:
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| 起源の場所: | アメリカ合衆国 |
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| ブランド名: | MICRON |
| モデル番号: | MT3A3A3A3A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A4A |
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お支払配送条件:
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| 最小注文数量: | 50PCS |
| 価格: | RFQ |
| パッケージの詳細: | ESD/真空/泡/カートン |
| 受渡し時間: | すぐに |
| 支払条件: | T/T,ウェスタン・ユニオン,エスクロー,ペイパール,ビザ,マネーグラム |
| 供給の能力: | RFQ |
IC統合回路 MT53E1536M32D4DT-046 AAT:A VFBGA-200 ダイナミックランダムアクセスメモリ
製品説明:
モバイル低消費量のDDR4SDRAM (LPDDR4) は,高速CMOS,ダイナミックランダムアクセスメモリで,内部で1または2チャネルで構成されている.各チャネルは16DQと8バンクで構成されている.LPDDR4 は 2 切符を使用しますシステム内の入力信号の数を減らすためにCAバス上のシングルデータレート (SDR) プロトコル. "2-tick"という用語は,コマンド/アドレスは2つのトランザクションで解読されることを意味します.コマンド/アドレスの半分が CK の 2 つの連続した上昇するエッジで捕らえられるように. 6 ビット CA バスにはコマンド,アドレス,銀行情報が含まれます. READ, WRITE, MASKED WRITEなどのコマンドは,命令を完了するには,連続して2つの2点のSDRコマンドが必要です..
特徴:
• 16n prefetch DDR architecture • 8 internal banks per channel for concurrent operation • Single-data-rate CMD/ADR entry • Bidirectional/differential data strobe per byte lane • Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL) • Programmable and on-the-fly burst lengths (BL = 16銀行業務の同時進行とコマンドスケジューリングの容易さのために,銀行ごとにリフレッシュを指示します.ダイごとに5GB/s • 自動刷新速度を制御するためのオンチップ温度センサー • 部分配列自動刷新 (PASR) • 選択可能な出力ドライブ強度 (DS) • クロックストップ機能 • RoHS対応プログラム可能なVSS (ODT) 終了 単一のCKとDQSサポート
パラメータ表:
| 製品属性 | 属性値 |
| 製造者: | マイクロン技術 |
| 製品カテゴリー: | DRAM |
| RoHS について | はい |
| タイプ: | SDRAM - LPDDR4 |
| マウントスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | VFBGA-200 |
| メモリサイズ: | 48 Gbit |
| 最大 時計周波数: | 2.133 GHz |
| シリーズ: | MT53E |
| ブランド: | マイクロン |
| 製品タイプ: | DRAM |
| 工場用 梱包量: | 1360 |
| サブカテゴリ: | メモリとデータ保存 |
FAQ:
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