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Circuitos integrados de circuito integrado MT53E1536M32D4DT-046 AAT:A VFBGA-200 Memoria de acceso aleatorio dinámico

Datos del producto:
Lugar de origen: Estados Unidos
Nombre de la marca: MICRON
Número de modelo: MT5204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M420
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 50 PCS
Precio: RFQ
Detalles de empaquetado: El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Tiempo de entrega: - ¿ Qué pasa?
Condiciones de pago: T/T, Western Union, depósito en garantía, Paypal, Visa, MoneyGram
Capacidad de la fuente: Cuadros de trabajo
Especificaciones Descripción de producto Pida una cita
Especificaciones
Especificaciones
RoHS: Libre de PB
Estilo de montaje: DSM/SMT
paquete: VFBGA-200
Serie: MT5E
Cantidad de embalaje de fábrica: 1360
Tipo de producto: Memoria de acceso aleatorio dinámica
Descripción de producto

Circuitos integrados de circuito integrado MT53E1536M32D4DT-046 AAT:A VFBGA-200 Memoria de acceso aleatorio dinámico

 

Descripción del producto:

La memoria móvil de baja potencia DDR4 SDRAM (LPDDR4) es una memoria CMOS de alta velocidad de acceso aleatorio dinámico configurada internamente con 1 o 2 canales.LPDDR4 utiliza una señal de 2, protocolo de velocidad de datos única (SDR) en el bus CA para reducir el número de señales de entrada en el sistema.tal que la mitad del comando/dirección se capture con cada uno de los dos bordes ascendentes consecutivos de CK. El bus CA de 6 bits contiene comandos, direcciones e información bancaria.y ACTIVATE requieren dos comandos SDR consecutivos de 2 marcas para completar la instrucción.

 

Características:

• 16n prefetch DDR architecture • 8 internal banks per channel for concurrent operation • Single-data-rate CMD/ADR entry • Bidirectional/differential data strobe per byte lane • Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL) • Programmable and on-the-fly burst lengths (BL = 16, 32) • Actualización dirigida por banco para operaciones bancarias simultáneas y fácil programación de comandos5 GB/s por matriz • Sensor de temperatura en el chip para controlar la velocidad de autoactualización • Autoactualización de matriz parcial (PASR) • Fuerza de accionamiento de salida seleccionable (DS) • Capacidad de parada de reloj • Cumplimiento de RoHS, envase

 

Cuadro de parámetros:

Atributo del producto Valor del atributo
El fabricante: Tecnología de micrones
Categoría de producto: Dispositivos de almacenamiento
La norma RoHS: - Sí, es cierto.
Tipo de vehículo: SDRAM - LPDDR4
Estilo de montaje: DSM/SMT
Embalaje / estuche: VFBGA-200
Tamaño de la memoria: 48 Gbit
Frecuencia máxima del reloj: 2.133 GHz
La serie: MT5E
Marca: El micrón
Tipo de producto: Dispositivos de almacenamiento
Envasado de fábrica 1360
Subcategoría: Memoria y almacenamiento de datos

 

 

Preguntas frecuentes:

  • ¿Cuál es su MOQ?

No se necesita MOQ, y si compra más, disfrutará de mejores precios.

  • ¿Puedo obtener una muestra gratis?

Puede pedirle a nuestro personal muestras gratuitas.

  • ¿Qué métodos de pago admite?

Proporcionamos: Visa/MasterCard/Transferencia bancaria/WU/MG/PayPal, etc.

  • ¿Qué hay de los métodos de envío?

Proporcionamos:DHL/UPS/TNT/Fedex/EMS/Aramex/ePacket, etc.

  • ¿Cómo se garantiza la calidad?

Período de garantía de calidad: 12 meses.

  • ¿Se prueban los productos antes del envío?

Todos los productos fueron probados antes del envío y los problemas de calidad fueron insignificantes.

  • ¿Provee servicios de BOM?

Sí, proporcionamos un servicio de compra de una sola parada, por favor envíenos su lista de Bom

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