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제품 상세 정보:
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| 원래 장소: | 미국 |
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| 브랜드 이름: | MICRON |
| 모델 번호: | MT53E1536M32D4DT-046 AAT:A |
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결제 및 배송 조건:
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| 최소 주문 수량: | 50개 |
| 가격: | RFQ |
| 포장 세부 사항: | ESD/Vacuum/Foam/Cartons |
| 배달 시간: | 바로 |
| 지불 조건: | 웨스턴 유니온, 에스크로, 페이팔, 비자, 머니그램인 전신환 |
| 공급 능력: | 가격 요구 |
IC 통합 회로 MT53E1536M32D4DT-046 AAT:A VFBGA-200 동적 무작위 액세스 메모리
제품 설명:
모바일 저전력 DDR4 SDRAM (LPDDR4) 은 1개 또는 2개의 채널로 내부로 구성된 고속 CMOS, 동적 무작위 액세스 메모리이다. 각 채널은 16개의 DQ와 8개의 은행으로 구성된다.LPDDR4는 2 틱을 사용합니다., CA 버스에서 입력 신호의 수를 줄이기 위한 단일 데이터 레이트 (SDR) 프로토콜. "2-tick"라는 용어는 명령/주소가 두 개의 트랜잭션에 걸쳐 해독된다는 것을 의미합니다.명령어/주소의 절반이 CK의 두 개의 연속 상승 가장자리 각각으로 캡처됩니다.. 6비트 CA 버스는 명령어, 주소, 은행 정보를 포함합니다. READ, WRITE, MASKED WRITE 같은 명령어,그리고 ACTIVATE는 명령어를 완료하기 위해 2개의 연속적인 SDR 명령을 필요로 합니다..
특징:
• 16n prefetch DDR architecture • 8 internal banks per channel for concurrent operation • Single-data-rate CMD/ADR entry • Bidirectional/differential data strobe per byte lane • Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL) • Programmable and on-the-fly burst lengths (BL = 16, 32) • 동시다발적인 은행 운영과 명령 스케줄링의 편의를 위해 은행별로 지시된 업데이트 • 최대 8.디어당 5 GB/s • 자신 갱신 속도를 제어하기 위한 칩 온도 센서 • 부분 배열 자신 갱신 (PASR) • 선택 가능한 출력 드라이브 강도 (DS) • 시계 정지 기능 • RoHS 준수, 녹색 패키지 • 프로그래밍 가능한 VSS (ODT) 종료 • 단일 CK 및 DQS 지원
매개 변수 테이블:
| 제품 속성 | 속성 값 |
| 제조사: | 마이크로 기술 |
| 제품 카테고리 | DRAM |
| RoHS: | 네 |
| 종류: | SDRAM - LPDDR4 |
| 장착 방식: | SMD/SMT |
| 패키지 / 케이스: | VFBGA-200 |
| 메모리 크기: | 48Gbit |
| 최대 시계 주파수: | 2.133 GHz |
| 시리즈: | MT53E |
| 브랜드: | 미크론 |
| 제품 종류: | DRAM |
| 공장 포장량: | 1360 |
| 하위 분류: | 메모리 및 데이터 저장 |
FAQ:
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