IC統合回路 APTM100UM45FAG
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 30mA |
| 動作温度: | -40°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | SP6 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 30mA |
| 動作温度: | -40°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | SP6 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 50 nC @ 12 V |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トレー |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 20mA |
| 動作温度: | -40°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | SP6 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 20mA |
| 動作温度: | -40°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | SP6 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 30mA |
| 動作温度: | -40°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | SP6 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 10mA |
| 動作温度: | -40°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | SP6 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 20mA |
| 動作温度: | -40°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | SP6 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 15mA |
| 動作温度: | -40°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | SP6 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 4V @ 12mA |
| 動作温度: | -40°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | SP6 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 10mA |
| 動作温度: | -40°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | SP6 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 4V @ 5mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | SOT-227-4のminiBLOC |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
| 動作温度: | -40°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | sp1 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETタイプ: | Nチャンネル |
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETタイプ: | Nチャンネル |
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | シャーシマウント |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETタイプ: | Nチャンネル |
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | シャーシマウント |
