IC obwody zintegrowane APTM100UM45FAG
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5V @ 30mA |
| Temperatura pracy: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | SP6 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5V @ 30mA |
| Temperatura pracy: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | SP6 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs: | 50 nC @ 12 V |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Pakiet: | Płytka |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5V @ 20mA |
| Temperatura pracy: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | SP6 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5V @ 20mA |
| Temperatura pracy: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | SP6 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5V @ 30mA |
| Temperatura pracy: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | SP6 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5V @ 10mA |
| Temperatura pracy: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | SP6 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5V @ 20mA |
| Temperatura pracy: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | SP6 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5V @ 15mA |
| Temperatura pracy: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | SP6 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 4V @ 12mA |
| Temperatura pracy: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | SP6 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5V @ 10mA |
| Temperatura pracy: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | SP6 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 4V @ 5mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | SOT-227-4, miniBLOK |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5 V przy 2,5 mA |
| Temperatura pracy: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | SP1 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Mocowanie podwozia |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Mocowanie podwozia |
