| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5В @ 30mA |
| Операционная температура: | -40°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | SP6 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: | 50 nC @ 12 В |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Пакет: | Поднос |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5В @ 20mA |
| Операционная температура: | -40°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | SP6 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5В @ 20mA |
| Операционная температура: | -40°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | SP6 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5В @ 30mA |
| Операционная температура: | -40°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | SP6 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5В @ 10mA |
| Операционная температура: | -40°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | SP6 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5В @ 20mA |
| Операционная температура: | -40°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | SP6 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5В @ 15mA |
| Операционная температура: | -40°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | SP6 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 4В @ 12mA |
| Операционная температура: | -40°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | SP6 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5В @ 10mA |
| Операционная температура: | -40°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | SP6 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 4В @ 5mA |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5 В @ 2,5 мА |
| Операционная температура: | -40°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | sp1 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Держатель шасси |
